产品介绍
杏彩体育手机客户端登录
从液态的熔融硅中生长单晶硅的及基本技术称为直拉法（Czochralski）。半导体工业中超过90%的单晶硅都是采用这种方法制备的。
在晶体生长过程中，多晶硅被放置到坩埚中，熔炉加热到超过硅的熔点，将一个适当晶向的籽晶放置在籽晶夹具中，悬于坩埚之上。将籽晶插入熔融液中，虽然籽晶将会部分熔化，但未熔化的籽晶顶部将会接触熔融液的表面。接着将籽晶慢慢拉起，熔融液在固体﹣液体的表面逐渐冷却，从而产生一个很大的单晶锭。
标准的拉晶速率是每分钟数毫米。如果要拉制一个较大直径的单晶硅锭，可在基本直拉法拉晶机上外加磁场。外加磁场的目的是减少缺陷、杂质，降低氧含量。由直拉法生长的单晶硅锭如图所示：
在晶体生长时，可将一定数量的杂质原子加入熔融液，以获得所需的掺杂浓度。对硅而言，硼和磷分别是形成P型和N型半导体最常用的掺杂材料。
要想使晶锭获得均匀的掺杂分布，可提高拉晶速率和降低旋转速率。另一种方法是在单晶生长过程中持续不断地向熔融液中添加高纯度的多晶硅，使得熔融液的初始的掺杂浓度维持不变。
一根底部带有籽晶的高纯度多晶硅棒保持在垂直方向并且旋转。此多晶硅棒被密封在充满惰性气体（如氩气）的石英管中。
在操作过程中，利用射频加热器使多晶硅棒的一小段区域（大约几厘米长）熔融，沿多晶硅棒轴向方向从部的向上移动射加热器，使悬浮熔融带(float-zone）向上移动，并扫过整个多晶硅棒。已悬浮区熔的硅以正在熔融的硅和再结晶的固体硅之间的表面张力为支撑。当悬浮熔融带上移时，后退端再结晶，生长出与籽晶晶向一致的单晶。
使用区熔法可生长出更高阻率的单晶材料。所以，目前区熔法生产出的单晶主要用于制造高功率、高压器件等。这种生长技术还可以用来去除杂质，称为区熔提纯技术，可用于提供极其纯净的原材料。
晶体生长完成后，第一道成形的操作是切除晶锭包含籽晶的头部和最后凝固的尾端。接着磨光表面以确定晶圆的直径。然后沿晶锭轴向磨出一个或数个平面。这些平面用来指示晶向和导电类型。最大的平面称为主磨面，参照该面可使自动工艺设备中的机械定向器自动固定晶圆的位置并确定器件相对于晶体的取向。另外一些较小的面称为次磨面，用于指示晶向和导电类型。
接着晶锭被金刚石刀片切成晶圆。切割决定四个晶圆参数：①晶面结晶方向，如＜111＞或＜100>
;②晶圆厚度，如0.5~0.7 mm，由晶圆直径决定；③晶面倾斜度，指从晶圆一端到另一端的厚度差异；④晶圆弯曲度，指从晶圆中心到晶圆边缘的弯曲程度。
切割完成以后，晶圆的两面要用氧化铝（Al2O3）和的混合物来研磨，一般可研磨到2um的平坦度。这道研磨操作通常会造成晶圆表面和边缘的损伤和污染，损伤和污染的区域可用化学刻蚀的方法来消除。
晶圆成形的最后一道工序是抛光，其目的是为后面的光刻工艺提供具有高度平坦化、高度洁净表面的晶圆。
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。举报投诉
是由石英沙所精练出来的，晶圆便是硅元素加以纯化（99.999%），接着是将些纯硅制成硅晶棒，成为
石英沙所精练出来的，晶圆便是硅元素加以纯化（99.999%），接着是将些纯硅制成硅晶棒，成为
是什么。IC，全名集成电路（Integrated Circuit），由它的命名可知它是将设计好的电路，以
和晶圆形成。硅精炼开始于在大约 2000 °C 的电弧炉中用碳源还原二氧化硅。碳有效地从 SiO2 分子中“拉”出氧，从而将 SiO2 化学还原为大约 98% 的纯硅，称为冶金级硅
属于半导体，半导体是介于导体和绝缘体之间的一类物质。元素周期表中的硅、锗、硒的单质都属于半导体。除了这些单质，通过掺杂生成的一些化合物，也属于半导体的范畴。这些化合物在
：开料一钻导通孔一孔金属化一铜箔表面的清洗一抗蚀剂的涂布一导电图形的形成一蚀刻、抗蚀剂的剥离一覆盖膜的加工一端子表面电镀一外形和孔加工一增强板的加工一检查一包装。`
架上，放入充满氮气的密封小盒内以免在运输过程中被氧化或沾污十、发往封测Die（裸片）经过封测，就成了我们电子数码产品上的
过程可概分为晶圆处理工序（Wafer Fabrication）、晶圆针测工序（Wafer Probe）、构装工序（Packaging）、测试工序（Initial
。由于成本下降，可再生能源系统的使用正在世界范围内扩大。这些系统需要将直流电源转换为电网同步的交流电源。目前，实现这项任务的逆变器是用分立
控制系统，主要部件采用稀土永磁直流力矩测速机组，滚珠丝杠，嵌入式单片机、交流伺服电机等。提出了一种用单片机和D/A 转换器实现交
控温系统的组成，微弱温差信号的接 口调理方法及智能的分级控制方式。系统控温范围(25～75)℃，控温精度达0. 01℃，分辨率0.001℃，投入使用多年来，工作稳定
随着技术的发展，LED的效率有了非常大的进步。在不久的未来LED会代替现有的照明灯泡。近几年人们
GT Advanced Technologies Inc.日前推出全新的 DSS450 MonoCast
：外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2 腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→
过程可概分为晶圆处理工序（Wafer Fabrication）、晶圆针测工序（Wafer Probe）、构装工序（Packaging）、测试工序（Initial
过程可概分为晶圆处理工序（Wafer Fabrication）、晶圆针测工序（Wafer Probe）、构装工序（Packaging）、测试工序（Initial
过程可概分为晶圆处理工序（Wafer Fabrication）、晶圆针测工序（Wafer Probe）、构装工序（Packaging）、测试工序（Initial Test and Final Test）等几个步骤。
资料概述 一、衬底材料的类型1.元素半导体 Si、Ge…。2. 化合物半导体 GaAs、SiC 、GaN…
的原料晶圆，晶圆的成分是硅，硅是由石英沙所精练出来的，晶圆便是硅元素加以纯化（99.999%），接着是将些纯硅制成硅晶棒，成为
设计、晶片制作、封装制作、成本测试等几个环节，其中晶片片制作过程尤为的复杂。下面图示让我们共同来了解一下
步骤如下： 1.表面清洗 2.初次氧化 3.CVD 4.涂敷光刻胶 5.用干法氧化法将氮化硅去除 6.去除光刻胶 7.用热磷酸去除氮化硅层 8.退火处理
详解 文章出处：【微信公众号：今日半导体】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。 审核编辑：彭静
使用的原料为氧化镓粉末，纯度99.999%，采用中频感应加热，铱金发热体、铱金模具，铱 金坩埚周围放置氧化锆作为保温材料。
测温要解决的问题还原炉应用中，需多点位测温，有的点位位置较高对准目标比较困难。升温过程中，材料状态可能发生变化，导致发射率随之发生变化导致测温失准。建议使用双色测温仪。直拉
是本文所解释的几个过程之一，这项关键性的技术是在历史早期发展起来的技术，至今仍用于特殊用途的需求。
HTCVD法能通过控制源输入气体比例可以到达较为精准的 Si/C比，进而获得高质量、高纯净度的碳化硅
对于电子元器件这块的知识，想必大家平时生活中很少接触到，但无时无刻不在使用它。那么铝电解电容整个